| 研究課題/領域番号 |
24K00559
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分13020:半導体、光物性および原子物理関連
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| 研究機関 | 香川大学 |
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研究代表者 |
小野 貴史 香川大学, 創造工学部, 助教 (40767464)
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| 研究分担者 |
三木 茂人 国立研究開発法人情報通信研究機構, 未来ICT研究所神戸フロンティア研究センター, 室長 (30398424)
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| 研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2027-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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| 配分額 *注記 |
18,590千円 (直接経費: 14,300千円、間接経費: 4,290千円)
2026年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2025年度: 4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2024年度: 12,610千円 (直接経費: 9,700千円、間接経費: 2,910千円)
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| キーワード | 量子シリコンフォトニクス / 非線形光学 / 中赤外光 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
シリコンフォトニクスは，その高い拡張性と制御性，そしてCMOS技術との適合性から，大規模な量子情報処理を実装するためのプラットフォームとして期待されている．しかし，通信波長帯域では光強度が高くなると，2光子吸収による光損失が発生するという問題がある．本研究では，2光子吸収の問題が生じない中赤外領域で，高強度な光を用いた非線形量子干渉実験を実証し，中赤外領域の非線形量子シリコンフォトニクスの新たな展開を開拓することを目的とする．
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