酸素誘起Cr空孔制御によるpnホモ接合CrNフレキシブル熱電デバイスの創成

• 研究課題/領域番号: 24K00915
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21050:電気電子材料工学関連
• 研究機関: 東北大学
• 研究代表者: 双 逸 東北大学, 材料科学高等研究所, 助教 (10962144)
• 研究分担者: 須藤 祐司 東北大学, 工学研究科, 教授 (80375196)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 18,460千円 (直接経費: 14,200千円、間接経費: 4,260千円); 2026年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円); 2025年度: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2024年度: 10,270千円 (直接経費: 7,900千円、間接経費: 2,370千円)
• キーワード: ミクロ熱電発電デバイス / 薄膜 / 窒化物 / pnホモ接合

研究開始時の研究の概要

次世代フレキシブルIoTデバイスへの応用に向け、薄膜型熱電発電材料の革新が期待されている。PbTeなどのTe系化合物は高いZT値を有しており薄膜熱電材料として有望であるが、資源希少性や有毒性などにより大規模な実用には至っておらず、代替材料の創成が期待されている。本研究では、Teフリーの窒化物：CrN熱電材料の創成とそののpnホモ接合によるフレキシブルTEGデバイスの実現実現を目指す。