磁性トポロジカル絶縁体素子の界面制御による低消費電力動作の実現

• 研究課題/領域番号: 24K00916
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21050:電気電子材料工学関連
• 研究機関: 茨城大学
• 研究代表者: 小峰 啓史 茨城大学, 応用理工学野, 准教授 (90361287)
• 研究分担者: 青野 友祐 茨城大学, 応用理工学野, 教授 (20322662) ; 長谷川 靖洋 埼玉大学, 理工学研究科, 准教授 (60334158) ; 千葉 貴裕 東北大学, 学際科学フロンティア研究所, 助教 (90803297)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 18,460千円 (直接経費: 14,200千円、間接経費: 4,260千円); 2027年度: 4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円); 2026年度: 4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円); 2025年度: 4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円); 2024年度: 5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
• キーワード: 磁性トポロジカル絶縁体 / 低消費電力動作 / 界面制御 / 電子状態

研究開始時の研究の概要

本研究では，磁性絶縁体/トポロジカル絶縁体の積層構造を用いた磁気トポロジカル絶縁体(Magnetic Topological Insulator, MTI) 素子の電子状態・磁気相互作用をデザインすることで，室温以上のキュリー点，磁気ギャップ開放，スピントルク増強を促し，室温動作MTIを用いた高性能磁気デバイスを創出する．