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電流注入レーザーの極端非線形利得スイッチによる光子寿命限界を破る短パルス発生

研究課題

研究課題/領域番号 24K00919
研究種目

基盤研究(B)

配分区分基金
応募区分一般
審査区分 小区分21050:電気電子材料工学関連
研究機関東京大学

研究代表者

秋山 英文  東京大学, 物性研究所, 教授 (40251491)

研究分担者 小林 真隆  東京大学, 物性研究所, 助教 (30911838)
研究期間 (年度) 2024-04-01 – 2027-03-31
研究課題ステータス 交付 (2024年度)
配分額 *注記
18,460千円 (直接経費: 14,200千円、間接経費: 4,260千円)
2026年度: 5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2025年度: 6,500千円 (直接経費: 5,000千円、間接経費: 1,500千円)
2024年度: 6,890千円 (直接経費: 5,300千円、間接経費: 1,590千円)
キーワード半導体レーザー / 利得スイッチ / 電流注入 / 短パルス / 極端非線形
研究開始時の研究の概要

光励起型の半導体レーザーの利得スイッチ実験で、光子寿命限界を破るピコ・フェムト秒の超短光パルス発生が可能であることを、基礎物理学的に発見解明してきた。本研究では、電流注入駆動型の半導体レーザーに対して、高速高電流電気パルス駆動とDCバイアスを組み合わせた電流注入技術で、予測制御しつつ、極端非線形利得スイッチ応答を誘起し、光子寿命限界を破る短光パルスを発生する。学理と実用光源の道を拓き、非熱レーザー加工やピコ秒時間分解計測、生命科学・医療分野の多光子レーザー顕微鏡などの応用に役立てたい。

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公開日: 2024-04-11   更新日: 2024-06-24  

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