ワンチップ型赤外線分析システムに向けたIII-IV-V族系発光素子材料の開拓

• 研究課題/領域番号: 24K00923
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21050:電気電子材料工学関連
• 研究機関: 豊橋技術科学大学
• 研究代表者: 山根 啓輔 豊橋技術科学大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (80610815)
• 研究分担者: 石川 靖彦 豊橋技術科学大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (60303541)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2029-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 18,590千円 (直接経費: 14,300千円、間接経費: 4,290千円); 2028年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円); 2027年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円); 2026年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円); 2025年度: 8,450千円 (直接経費: 6,500千円、間接経費: 1,950千円); 2024年度: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
• キーワード: 第一原理計算 / 結晶成長 / ハフニウム

研究開始時の研究の概要

新たにIII-IV-V族結晶材料を探索し、マイクロチップに組み込み可能なLEDを作製する。計算機シミュレーションから結晶のエネルギー状態、原子間隔などを求め、高効率発光素子実現のための制御因子を導く。得られた結果をもとに、分子線エピタキシー装置を導入し、目的の結晶を作製する。最終段階として、本学の共用施設のLSIプロセスラインを用いて開発した結晶を用いた受発光素子を作製する。