| 研究課題/領域番号 |
24K00934
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
赤澤 正道 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 准教授 (30212400)
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| 研究分担者 |
佐藤 威友 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 准教授 (50343009)
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| 研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2027-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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| 配分額 *注記 |
14,690千円 (直接経費: 11,300千円、間接経費: 3,390千円)
2026年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
2025年度: 5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2024年度: 5,980千円 (直接経費: 4,600千円、間接経費: 1,380千円)
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| キーワード | MOS構造 / MOSFET / 界面準位 / 欠陥準位 / 光電気化学エッチング |
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| 研究開始時の研究の概要 |
窒化ガリウム（GaN）を用いた反転型nチャネルMOSFETのチャネル中電子の実効移動度を向上するために、MOS界面近傍禁制帯内準位の排除を図る。具体的には、p型GaNと絶縁体との界面を、GaNに対する光電気化学エッチングおよび熱処理により制御する方法を最適化する。MOS界面禁制帯内準位の評価方法として、サブバンドギャップ光支援容量－電圧測定を行い、禁制帯中の深いエネルギー位置における界面近傍局在準位の評価を行い最適化の指標とする。最適化したプロセスによりp型GaN MOS界面近傍禁制帯内準位を排除したうえで、反転型nチャネルGaN MOSFETを試作・評価して実効移動度の向上を実証する。
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