トンネルFET構造による3D-NANDフラッシュメモリの超多値化

• 研究課題/領域番号: 24K00935
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
• 研究機関: 九州大学
• 研究代表者: 木野 久志 九州大学, システム情報科学研究院, 准教授 (10633406)
• 研究分担者: 田中 徹 東北大学, 医工学研究科, 教授 (40417382) ; 福島 誉史 東北大学, 工学研究科, 准教授 (10374969)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 18,460千円 (直接経費: 14,200千円、間接経費: 4,260千円); 2026年度: 5,330千円 (直接経費: 4,100千円、間接経費: 1,230千円); 2025年度: 6,890千円 (直接経費: 5,300千円、間接経費: 1,590千円); 2024年度: 6,240千円 (直接経費: 4,800千円、間接経費: 1,440千円)
• キーワード: 半導体 / メモリ / トンネル効果

研究開始時の研究の概要

高度情報化社会において、データを保存するストレージデバイスの大容量化は社会的に強く望まれている。SSD (Solid State Drive)やSDカードには3D-NANDフラッシュメモリが用いられており、世界中で大容量化の研究開発がなされている。3D-NANDフラッシュメモリには情報の多値化技術が用いられており、大容量化に大きく貢献している。しかしながら多値化は4bitで飽和しつつあり、5bit以上の超多値化を可能とする技術が強く望まれている。
本研究ではヘテロ接合を用いたトンネルFET構造をフラッシュメモリ適用した独自構造により、3D-NANDフラッシュメモリの超多値化を目指す。