| 研究課題/領域番号 |
24K00954
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
村上 勝久 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 上級主任研究員 (20403123)
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| 研究分担者 |
松崎 功佑 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (40571500)
若家 冨士男 大阪大学, 大学院基礎工学研究科, 准教授 (60240454)
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| 研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2027-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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| 配分額 *注記 |
18,590千円 (直接経費: 14,300千円、間接経費: 4,290千円)
2026年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2025年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2024年度: 12,090千円 (直接経費: 9,300千円、間接経費: 2,790千円)
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| キーワード | 電子放出源 / グラフェン / 六方晶窒化ホウ素 / 高温超伝導 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
独自開発したリモートプラズマCVD手法により、高温超伝導体に原子層物質積層構造を直接成膜することで、原子層物質/高温超伝導体積層型の平面型電子放出デバイスを開発する。デバイスから放出する電子のエネルギー分析と理論解析からグラフェン、h-BN平面に対する10eV帯の低エネルギー電子の散乱機構を明らかにする。これらの結果を元に、原子層物質積層構造での電子散乱を抑制することで、超伝導体中の電子状態を反映した超コヒーレント電子ビームを実現し、原子層物質と超伝導体を融合した新しいデバイスを創出する。
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