非輻射遷移による原子移動に着目した無機固相反応メカニズムの解明

• 研究課題/領域番号: 24K01159
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分26020:無機材料および物性関連
• 研究機関: 大阪大学
• 研究代表者: 佐藤 和久 大阪大学, 超高圧電子顕微鏡センター, 准教授 (70314424)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 18,460千円 (直接経費: 14,200千円、間接経費: 4,260千円); 2026年度: 5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円); 2025年度: 8,710千円 (直接経費: 6,700千円、間接経費: 2,010千円); 2024年度: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
• キーワード: 非輻射遷移 / 電子励起 / オージェ崩壊 / 固相反応 / 金属シリサイド

研究開始時の研究の概要

本研究では、非輻射遷移に起因する原子移動を利用して、常温常圧で化合物薄膜を創製する新規プロセスを開拓し、電子顕微鏡を用いて固相反応支配因子を解明する。この新規プロセスでは、内殻電子励起によりメタロイド酸化物を分解し、金属/酸化物界面に金属シリサイドを形成することが可能である。この手法をセンサーや熱電変換素子など広範な応用が期待されるCrSi2薄膜の室温創製に応用し、固相反応機構解明とともにその汎用性を実証する。