熱平衡点欠陥濃度の理論評価手法の開発

• 研究課題/領域番号: 24K01173
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分26020:無機材料および物性関連
• 研究機関: 一般財団法人ファインセラミックスセンター
• 研究代表者: 小川 貴史 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 上級研究員 (90515561)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 18,460千円 (直接経費: 14,200千円、間接経費: 4,260千円); 2026年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円); 2025年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円); 2024年度: 15,080千円 (直接経費: 11,600千円、間接経費: 3,480千円)
• キーワード: 点欠陥 / 酸化物 / 第一原理計算

研究開始時の研究の概要

本研究では、第一原理計算より得られる点欠陥形成エネルギーを用いて、熱平衡状態下の点欠陥濃度解析を行うフレームワークの高度化を目指す。効率的なエネルギーデータの蓄積を進めると共に、解析手法の開発とプログラム実装を進める。開発した手法を、半導体のみならず、プロトン伝導体やリチウムイオン伝導体等のイオン電解質、電極材料等に適用し、従来よりも定量的または機能的に点欠陥濃度の振舞いを解析することで、伝導キャリアの挙動を支配するメカニズムの解明に役立てる。