二次元材料アシストエッチングによる半導体表面構造制御

• 研究課題/領域番号: 24K01179
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分26030:複合材料および界面関連
• 研究機関: 京都大学
• 研究代表者: 宇都宮 徹 京都大学, 工学研究科, 助教 (70734979)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 18,590千円 (直接経費: 14,300千円、間接経費: 4,290千円); 2026年度: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2025年度: 5,590千円 (直接経費: 4,300千円、間接経費: 1,290千円); 2024年度: 8,320千円 (直接経費: 6,400千円、間接経費: 1,920千円)
• キーワード: 二次元材料 / シリコン / エッチング

研究開始時の研究の概要

半導体表面への三次元構造形成技術は電子デバイス製造に必須であり，より簡便な形成技術には産業的にもニーズがある．私たちの研究グループでは酸化グラフェンを触媒としたシリコンのウェットエッチングを報告した．しかし「なぜこの二次元材料がアシストエッチング触媒として機能するのか」という学術的な疑問は残されている.本研究では触媒となる二次元材料の電子構造・化学構造からエッチング反応活性の起源にアプローチする.次に化合物半導体のアシストエッチングに挑み，半導体側の電子構造とエッチング反応の関係を明らかする.半導体材料一般の触媒アシストエッチングプロセスデザインに貢献できる学理構築を行う．