CO2を用いた超臨界溶体急速膨張法によるフレキシブル有機半導体の創製と高性能化

• 研究課題/領域番号: 24K01233
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分27010:移動現象および単位操作関連
• 研究機関: 金沢大学
• 研究代表者: 内田 博久 金沢大学, フロンティア工学系, 教授 (70313294)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 18,460千円 (直接経費: 14,200千円、間接経費: 4,260千円); 2026年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円); 2025年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円); 2024年度: 11,440千円 (直接経費: 8,800千円、間接経費: 2,640千円)
• キーワード: 有機製膜 / 超臨界溶体急速膨張法 / フレキシブル薄膜トランジスタ / 有機半導体 / 二酸化炭素

研究開始時の研究の概要

本研究では，我々が考案したCO2を利用した超臨界溶体急速膨張法によるフレキシブル有機半導体の創製技術の実用化を目標として，フレキシブル基板（高分子材料）に適用可能な有機薄膜設計［膜厚，薄膜の結晶粒のサイズ・形態・分子配向性・結晶性・結晶構造，薄膜の緻密さ（結晶粒界）の制御］技術の確立及び有機薄膜トランジスタ（OTFT）の創製を目指す。具体的には，創製薄膜の結晶特性及び電気特性（キャリア移動度，ON/OFF比，閾値電圧）に及ぼす種々の操作因子の影響を系統的に調査し，フレキシブル基板上での高性能薄膜の設計指針を提案する。さらに，得られた薄膜設計指針に基づき，高性能フレキシブルOTFT創製を目指す。