研究課題
基盤研究(B)
本研究では、ペロブスカイト太陽電池の埋もれた界面における電荷移動を電子スピン共鳴(ESR)法により直接計測し、分子レベルの微視的な視点から、界面バンド曲がりの学理を開拓する。素子動作状態で使用可能なオペランドESR法も活用して素子性能相関も解明する。具体的には、以下の3つの内容について、研究を行う。a) 正孔輸送層/ペロブスカイト界面の電荷移動のスピン計測によるバンド曲がり評価b) ペロブスカイト太陽電池のオペランドスピン計測によるバンド曲がりと素子性能相関c) ペロブスカイト/電子輸送層界面における電荷移動のスピン計測と素子性能相関