分極反転ダイナミクスの実空間観察に基づく強誘電体薄膜の分極疲労メカニズムの解明

• 研究課題/領域番号: 24K01338
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
• 研究機関: 東北大学
• 研究代表者: 平永 良臣 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (70436161)
• 研究分担者: 小林 正治 東京大学, 生産技術研究所, 准教授 (40740147)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 18,720千円 (直接経費: 14,400千円、間接経費: 4,320千円); 2027年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円); 2026年度: 4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円); 2025年度: 4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円); 2024年度: 5,720千円 (直接経費: 4,400千円、間接経費: 1,320千円)
• キーワード: 強誘電体 / プローブ顕微鏡

研究開始時の研究の概要

酸化ハフニウム基強誘電体薄膜を用いた次世代不揮発性メモリや演算素子の開発における最大の問題点は書き換え可能回数に対する制約である．本研究課題はこの問題の直接的な原因となっている分極疲労現象に焦点を当て，独自のアプローチ，具体的には局所C-Vマッピング法というプローブ顕微鏡手法を駆使したナノスケール領域での分極反転挙動の直接可視化によって，現象の理解ならびに問題の解決を目指す．