14族二次元物質の面内ヘテロ構造の創製と電子構造

• 研究課題/領域番号: 24K01345
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
• 研究機関: 名古屋大学
• 研究代表者: 柚原 淳司 名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (10273294)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 18,460千円 (直接経費: 14,200千円、間接経費: 4,260千円); 2026年度: 5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円); 2025年度: 5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円); 2024年度: 8,190千円 (直接経費: 6,300千円、間接経費: 1,890千円)
• キーワード: 14 族ポストグラフェン / ゲルマネン / スタネン / プランベン / 結晶成長

研究開始時の研究の概要

14族ハニカムナノシートは特殊な2次元トポロジカル絶縁体であり、高キャリア易動度とバンドギャップの制御性を合わせもつ革新的エレクトロニクス材料であるとの理論予測があり、創製研究が活況を呈している。しかしながら、ハニカムナノシートのエッジに着目した研究はほとんどされていない。エッジの幾何学的構造と電子状態の関係性を明らかにすることは、トポロジカル絶縁体やスピントロニクス材料への応用を目指すにあたり大変重要である。本研究では、本応募者らが開発してきた表面偏析法や表面改質法を融合させることにより、面内ヘテロ構造を創製し、走査型トンネル分光にて詳細な電子状態の界面からの距離依存性を明らかにする。