研究課題
基盤研究(B)
磁性金属電極間の障壁層に絶縁膜を挟んだ磁気接合素子は、スピントロニクスデバイスの根幹をなす素子であり、高い磁気抵抗比を達成することが求められている。本課題では、実際の実験を模した大規模モデルを用いた第一原理計算で、2次元層状物質を障壁層に用いた磁気接合素子中のスピン伝導を支配する要因を電子論に基づいて明らかにし、界面の局所原子構造とキャリア伝導特性を結びつける学理を構築する。そして、計算と実証実験が協力して高い磁気抵抗比を実現できる磁気接合素子構造とその創製プロセスの設計、機能実証を行う。