熱酸化反応の精密制御による理想SiO2/SiC界面の実現

• 研究課題/領域番号: 24K01348
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
• 研究機関: 関西学院大学
• 研究代表者: 細井 卓治 関西学院大学, 工学部, 准教授 (90452466)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 18,460千円 (直接経費: 14,200千円、間接経費: 4,260千円); 2026年度: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円); 2025年度: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円); 2024年度: 8,840千円 (直接経費: 6,800千円、間接経費: 2,040千円)
• キーワード: SiC / MOSFET / パワーデバイス / パワーエレクトロニクス

研究開始時の研究の概要

本研究課題では、膜厚2 nm以下の極薄SiO2膜形成に焦点を絞り、SiO2/SiC界面の欠陥構造を極限まで減らすプロセスを構築すると共に、SiC伝導帯の特異な電子状態と界面欠陥の影響を切り分けることで、SiO2/SiC界面特有の物理を明らかにすると共に、SiC MOSFETの真の性能限界を見極めることができる。さらに、界面特性に優れた極薄SiO2膜を下地層として、その上に厚いSiO2膜を堆積することで高い性能と信頼性を両立したSiC MOSFETの実現を目指す。