大きな表面分極を持つトポロジカル半金属の半導体デバイスへの応用

• 研究課題/領域番号: 24K01353
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
• 研究機関: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
• 研究代表者: 原田 尚之 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 独立研究者 (90609942)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 18,460千円 (直接経費: 14,200千円、間接経費: 4,260千円); 2026年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円); 2025年度: 5,850千円 (直接経費: 4,500千円、間接経費: 1,350千円); 2024年度: 9,750千円 (直接経費: 7,500千円、間接経費: 2,250千円)
• キーワード: 薄膜 / ヘテロ構造 / 半導体デバイス / トポロジカル / 金属

研究開始時の研究の概要

本研究では、安定な表面状態を持つトポロジカル半金属材料を開発し、それをシリコンやワイドギャップ半導体と接合する。主に、金属間化合物を対象として、密度汎関数法による計算を利用しながら新しい金属材料を開発する。その際、金属間化合物を構成する元素の種類、結合の性質、結晶構造の対称性・異方性に着目する。新しい金属材料を利用して、既存の系を超えるデバイス特性の実現を目指す。