電圧印加による単結晶SiおよびGeの低温変形メカニズム解明

• 研究課題/領域番号: 24K01361
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分30010:結晶工学関連
• 研究機関: 京都大学
• 研究代表者: 三浦 清貴 京都大学, 工学研究科, 教授 (60418762)
• 研究分担者: 清水 雅弘 京都大学, 工学研究科, 助教 (60704757)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 17,550千円 (直接経費: 13,500千円、間接経費: 4,050千円); 2026年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円); 2025年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円); 2024年度: 13,780千円 (直接経費: 10,600千円、間接経費: 3,180千円)
• キーワード: 半導体単結晶 / 塑性変形

研究開始時の研究の概要

本研究は、半導体単結晶の電気塑性効果とも呼べる現象の詳細を明らかにすることを目的とし、転移形成速度や転移密度の分布等に関する各種変形条件下での実験データと、外部電場下でのミクロな変形挙動のシミュレーション結果とを相補的に解析することで、通電効果を含めた低温変形メカニズムの詳細について検討する。半導体材料における電気塑性効果とも呼べる現象を明らかにした既報はなく、学術的に未踏の領域を開拓することで、半導体単結晶のモールド成型（ナノインプリント含む）という新しい技術の創成を目指す。