| 研究課題/領域番号 |
24K01365
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分30010:結晶工学関連
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| 研究機関 | 名城大学 |
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研究代表者 |
成塚 重弥 名城大学, 理工学部, 教授 (80282680)
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| 研究分担者 |
今西 正幸 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 (00795487)
上山 智 名城大学, 理工学部, 教授 (10340291)
丸山 隆浩 名城大学, 理工学部, 教授 (30282338)
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| 研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2029-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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| 配分額 *注記 |
18,590千円 (直接経費: 14,300千円、間接経費: 4,290千円)
2028年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
2027年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
2026年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
2025年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2024年度: 7,540千円 (直接経費: 5,800千円、間接経費: 1,740千円)
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| キーワード | ヘテロエピタキシャル成長 / グラフェン / 転位低減 / リモートエピタキシー / 半導体 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
本研究課題では、上下方向に結合を持たない2次元材料であるグラフェンをキーマテリアルとして使用し、高品質なヘテロエピタキシャル成長を可能とする新規成長技術を開拓する。さらに、新規エピタキシャル成長技術で作製した高品質なテンプレート基板を利用し、従来では実現が難しかった高輝度光源ならびにGaN無転位自立基板の作製をめざす。グラフェンをエピタキシャル成長に利用するリモートエピタキシーは新たな結晶成長技術として有名となったが、マスク材、相互拡散防止膜、剥離層への応用も含め総合的にグラフェンとヘテロエピタキシャル成長を関係づける研究は他になく、学術的独自性ならびに高い創造性を本研究課題は持つ。
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