熱力学に基づく原料分子制御による組成制御されたInGaN混晶厚膜の創製

• 研究課題/領域番号: 24K01579
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分36010:無機物質および無機材料化学関連
• 研究機関: 東京農工大学
• 研究代表者: 村上 尚 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (90401455)
• 研究分担者: 本田 善央 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 准教授 (60362274)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 18,590千円 (直接経費: 14,300千円、間接経費: 4,290千円); 2026年度: 5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円); 2025年度: 8,580千円 (直接経費: 6,600千円、間接経費: 1,980千円); 2024年度: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
• キーワード: エピタキシャル成長 / 窒化ガリウム / 転位 / トリハライド気相成長

研究開始時の研究の概要

InxGa1-xNおよびAlyGa1-yNに代表されるIII族窒化物三元混晶は、組成を制御することにより210 nmから1700 nmまでの受発光を自在に変化させることができる材料である。これらの材料系を用いることで低炭素社会構築はもとよりポストコロナ・安心安全な社会構築のキーデバイス実現が期待される。このような優れた潜在能力を有する材料であるが、現状ではデバイス作製に必要となる格子整合基板結晶(ウエハ)が存在しない。本研究では、熱力学に基づく原料分子制御手法により未踏の全組成域で高品質なIII族窒化物三元混晶厚膜およびウエハの創製を目的とする。