119番新元素発見に向けた極薄不感層Si半導体検出器の開発

• 研究課題/領域番号: 24K03198
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分80040:量子ビーム科学関連
• 研究機関: 山形大学
• 研究代表者: 門叶 冬樹 山形大学, 理学部, 教授 (80323161)
• 研究分担者: 森本 幸司 国立研究開発法人理化学研究所, 仁科加速器科学研究センター, チームリーダー (00332247)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 18,590千円 (直接経費: 14,300千円、間接経費: 4,290千円); 2027年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円); 2026年度: 5,590千円 (直接経費: 4,300千円、間接経費: 1,290千円); 2025年度: 5,980千円 (直接経費: 4,600千円、間接経費: 1,380千円); 2024年度: 4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
• キーワード: 超重元素探査 / 半導体検出器

研究開始時の研究の概要

原子番号104番以上の元素は超重元素と呼ばれ，核融合反応によって人工的に合成される。原子核が一体どこまで安定に存在するかという『原子核の存在限界』や，超重核領域に長寿命の原子核は存在するのかという『超重核の安定の島の探査』など原子核物理において極めて重要な研究が進められている。
不感層が薄く，大型で位置有感型のシリコン半導体検出器を新しく開発し、GARIS-IIおよびGARIS-IIIの焦点面検出器に採用し，51Vビームと248Cm標的の反応により合成した原子番号119 番の新元素を，入射ビームおよび標的由来のバックグラウンドと区別して，高効率かつ高確度に新元素を検出できるシステムを開発する。