高次高調波２重スリット干渉を用いた極紫外リソグラフィー材料の高効率光学測定

• 研究課題/領域番号: 24K03199
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分80040:量子ビーム科学関連
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 石田 行章 東京大学, 大学院理学系研究科(理学部), 特任講師 (30442924)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 14,560千円 (直接経費: 11,200千円、間接経費: 3,360千円); 2026年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円); 2025年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円); 2024年度: 6,890千円 (直接経費: 5,300千円、間接経費: 1,590千円)
• キーワード: 極紫外リソグラフィー / 高次高調波 / 干渉

研究開始時の研究の概要

半導体チップに集積回路を書き込むために使われる光は短波長化の一途とたどり、遂に波長13.5nmの極紫外光（EUV）を用いた露光が実用化された。これに伴って、EUV露光に用いられるマスクやフォトレジスト材料のEUV域での光学特性評価が重要な課題になっている。本研究では、2重スリットと回折格子からなる干渉計を用いて、EUV光が薄膜材料を透過する際の透過率と位相の遅れを高精度で測定する手法を提案する。さらに、干渉波形をリアルタイムで解析する新手法を用いて、高効率かつ系統的な光学特性評価を実現する。13.5 nm域における薄膜材料の高効率光学測定を達成して半導体集積度の向上に寄与することを目指す。