原子層物質におけるフェルミ端特異性の探索と光学応答の制御

• 研究課題/領域番号: 24K06917
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分13020:半導体、光物性および原子物理関連
• 研究機関: 名古屋大学
• 研究代表者: 小山 剛史 名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (20509070)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円); 2026年度: 260千円 (直接経費: 200千円、間接経費: 60千円); 2025年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円); 2024年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
• キーワード: フェルミ端特異性 / 原子層物質

研究開始時の研究の概要

電荷注入がなされた半導体や金属において、遷移先（元）の準位がフェルミ準位の近傍となる遷移では、励起される正孔（電子）がフェルミ準位近傍の多くの電子（正孔）と結合し、遷移強度の発散的な増大が起こり得ます。これをフェルミ端特異性とよびます。近年、単層グラフェンや単層遷移金属ダイカルコゲナイドなどの原子一層から数層程度からなる原子層物質を対象とした実験が広く行われるようになりました。本研究では、二次元性が極めて高い原子層物質においてフェルミ端特異性がどのくらい強く現れるのか、室温でも観測されるのか、について調べます。