常圧常温超伝導体候補物質のホウ素ドープQカーボンのホウ素分布と化学状態の解明

• 研究課題/領域番号: 24K06960
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分13030:磁性、超伝導および強相関系関連
• 研究機関: 岡山大学
• 研究代表者: 脇田 高徳 岡山大学, 異分野基礎科学研究所, 講師 (10423279)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2026年度: 130千円 (直接経費: 100千円、間接経費: 30千円); 2025年度: 130千円 (直接経費: 100千円、間接経費: 30千円); 2024年度: 4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
• キーワード: 光電子顕微鏡

研究開始時の研究の概要

広島大学放射光施設HiSORの岡山大学ビームライン(BL5)に設置された放射光を光源とする光電子顕微鏡(PEEM)に波長可変光源（約0.5 - 6.5 eV）を組み込む。試料表面には観測領域を取り囲むAu膜を作成し、放射光照射下、波長可変光源の照射によりAu膜の電子が絶縁体試料との間のショットキー障壁を乗り越える波長を割り出し、試料の帯電防止を実現する。これにより常圧室温超伝導体として期待されるアルミナ基板上のホウ素ドープQカーボンのPEEMによる局所X線吸収分光測定が可能となり、試料の作製条件およびホウ素濃度の異なる試料についてのホウ素の微視的分布や化学状態の違いを明らかにする。