乱れの無いCuO2面でキャリアはいかに振舞うか？：多層型超伝導体の電子相図の解明

• 研究課題/領域番号: 24K06965
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分13030:磁性、超伝導および強相関系関連
• 研究機関: 東京理科大学
• 研究代表者: 常盤 和靖 東京理科大学, 先進工学部電子システム工学科, 教授 (60307709)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円); 2026年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円); 2025年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円); 2024年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
• キーワード: 多層型銅酸化物超伝導体 / 乱れのないCuO2面 / 電子相図

研究開始時の研究の概要

銅酸化物超伝導体の高い温度での超伝導発現機構を解明するには，キャリア濃度と温度の関係性である電子相図の理解が重要である。特に、電子相関の強いモット絶縁体近傍の低キャリアドープ領域の理解が必要である。本研究は，従来の常識では絶縁体とされていた低ドープ領域でも良好な金属性を示す乱れの無いCuO2面を持つ頂点フッ素系多層型銅酸化物超伝導体の低ドープ領域の電子輸送特性を調査し，その電子相図解明するものである。