超短パルス高電界がん治療の細胞選択性実現と治療用高周波バーストパルス印加装置開発

• 研究課題/領域番号: 24K07450
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21010:電力工学関連
• 研究機関: 山形大学
• 研究代表者: 南谷 靖史 山形大学, 大学院理工学研究科, 教授 (10323172)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2026年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円); 2025年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円); 2024年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
• キーワード: パルス電界 / バーストパルス / がん細胞 / アポトーシス / 周波数

研究開始時の研究の概要

本研究ではがん細胞にナノ秒の高電界(数十kV/cm程度)を印加して，アポトーシスを再生させ，手術することなしにがんを治療する超短パルス高電界による非外科がん治療法の装置開発と電界印加条件の確立を行う。
本助成ではがん細胞と正常細胞の細胞選択性がある電界印加条件の可能性を探る。
がん細胞は正常細胞と電気的特性が異なるため周波数感受性の違い，腫瘍の共振によりがんに集中して電界をかけアポトーシスを誘導できる可能性がある。
本助成では1GHzまでの高周波バーストパルスを可変して出力できる装置を開発し，がん細胞への印加実験を行い，細胞選択性のある周波数を明らかにする足がかりを作る。