研究課題
基盤研究(C)
パワーエレクトロニクス機器を構成するパワーデバイスの高性能化が、低炭素化・省エネルギー化社会の実現には不可欠である。次々世代デバイスとして期待されているダイヤモンド・パワーデバイスは社会実装が急がれている。ダイヤモンド・デバイス作製プロセスでは、積層する性質の異なるダイヤモンド薄膜の結晶性が均一になることが理想的であるが、性質の異なる薄膜の界面領域や結晶面内で歪み・応力が分布する。この歪み・応力は、ダイヤモンド・パワーデバイスの性能・信頼性を低下させる要因となりうる。本研究では、デバイス・プロセスで発生するダイヤモンド薄膜中の歪み・応力を解析し、デバイス性能・信頼性に与える影響を明らかにする。
