高密度ラジカル酸化による極薄酸化膜の創成

研究課題

研究課題/領域番号	24K07561
研究種目	基盤研究(C)
配分区分	基金
応募区分	一般
審査区分	小区分21050:電気電子材料工学関連
研究機関	九州工業大学
研究代表者	和泉亮九州工業大学, 大学院工学研究院, 教授 (30223043)
研究期間 (年度)	2024-04-01 – 2027-03-31
研究課題ステータス	交付 (2024年度)
配分額 *注記	4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円) 2026年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円) 2025年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円) 2024年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
キーワード	極薄酸化膜 / ラジカル
研究開始時の研究の概要	本研究は60℃以下の低温でシリコンなどの半導体や各種金属を直接酸化し、nmオーダーの SiO2, GeO2, HfO2などの高品質絶縁膜を形成するための技術の確立、および、その形成メカニズムの解明を目的としている。ホットワイヤー化学気相堆積(Hot-Wire CVD：HWCVD）装置を用いて酸化ラジカルの生成を行い直接酸化する。従来、HWCVD 法ではその原理から酸化ラジカルの生成は困難であったが、水素で高希釈した水分を原料として用いる手法を取り入れることで実現する。