研究課題/領域番号 |
24K07563
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分21050:電気電子材料工学関連
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研究機関 | 東京理科大学 |
研究代表者 |
加瀬 直樹 東京理科大学, 理学部第一部応用物理学科, 嘱託特別講師 (10613630)
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研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2027-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2026年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2025年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2024年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
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キーワード | 透明酸化物半導体 / 単結晶 / IGZO / フローティングゾーン法 |
研究開始時の研究の概要 |
IGZOと呼ばれる透明酸化物半導体はその高い移動度と極めて低いリーク電流から注目されている。大型単結晶の育成が困難であり特徴的な物性の起源は未解明のままであったが、我々のグループにより初めて成功した。これまでの大型単結晶による測定結果からInO層の寄与が他の元素よりも大きいことを実験的に明らかにしたが、キャリアが増えるにつれて移動度が上昇する特性の起源などは明らかではない。本研究ではIGZOの伝導特性の起源の解明を目的とした単結晶育成とその物性測定を行う。さらに新たな高移動度を有する透明酸化物半導体の発見を目指した単結晶育成も行うことでIGZOの特異な移動度とキャリア密度の関係の解明を目指す。
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