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自律低温プロセスによるSi量子ドットの高収率生成と高品質化の同時実現

研究課題

研究課題/領域番号 24K07564
研究種目

基盤研究(C)

配分区分基金
応募区分一般
審査区分 小区分21050:電気電子材料工学関連
研究機関法政大学

研究代表者

中村 俊博  法政大学, 理工学部, 教授 (90451715)

研究分担者 越田 信義  東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 名誉教授 (50143631)
研究期間 (年度) 2024-04-01 – 2027-03-31
研究課題ステータス 交付 (2024年度)
配分額 *注記
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2026年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2025年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2024年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
キーワード量子ドット
研究開始時の研究の概要

Si量子ドットは、近年の半導体プロセス技術との高い親和性から発光デバイス・光電変換デバイス、スピン量子ビット、バイオ計測・医療など広い応用が期待されているが、その作製技術は収率・制御性・安定性の点で実用レベルに至っていない。そこで、Siのナノ構造化・量子ドット化・表面終端の全過程に自律形成機構を取り入れた高収率Si量子ドット形成法の開発を行う。陽極酸化法でSiウエハーから作製した多孔質Si層を有機溶媒中で低温加熱し、クラッキングと同時に表面が終端されたSi量子ドットを得る。本方法では、多孔質Siの際だった低熱伝導・低熱容量に起因した熱ストレスにより、クラッキング生成の効率化と安定化をねらう。

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公開日: 2024-04-05   更新日: 2024-06-24  

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