共存するディジタルおよびアナログ抵抗変化間の選択的遷移の実現

• 研究課題/領域番号: 24K07569
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21050:電気電子材料工学関連
• 研究機関: 舞鶴工業高等専門学校
• 研究代表者: 西 佑介 舞鶴工業高等専門学校, その他部局等, 准教授 (10512759)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円); 2026年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円); 2025年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円); 2024年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
• キーワード: 抵抗変化 / 金属酸化物 / 酸素空孔

研究開始時の研究の概要

本研究の目的は、酸化タンタルを用いた抵抗変化素子で見られるディジタルおよびアナログ抵抗変化の種別の起源や、この種別を決定している主要因を特定することである。抵抗変化材料の酸素組成や結晶構造、下部電極材料や組成に起因する内蔵酸素量が、ディジタル・アナログ抵抗変化の発現に与える影響を調べ、これらの間を自由に選択的に遷移するための条件を見出しその制御法を提案することを目指す。