複合励起分子を用いた炭化ケイ素表面絶縁膜のリアルタイム反応制御と高品質化

• 研究課題/領域番号: 24K07572
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21050:電気電子材料工学関連
• 研究機関: 弘前大学
• 研究代表者: 遠田 義晴 弘前大学, 理工学研究科, 准教授 (20232986)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円); 2026年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円); 2025年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円); 2024年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
• キーワード: SiC / 絶縁膜 / 気相励起 / 光電子分光

研究開始時の研究の概要

本研究は、ワイドギャップ半導体である炭化ケイ素による半導体集積回路の実用化を念頭に、高キャリア移動度・高耐久性を持つ高品質なSiC表面酸窒化膜形成を目指すものである。窒素添加による、界面欠陥密度の低減・キャリア移動度の向上に関する先行研究を基礎に、申請者が開発した複合気相励起法と「リアルタイム光電子分光その場観測」を組み合わせ、窒素添加による界面改善効果の物理・化学的起源を明らかにし、得られた知見に基づき理想的な酸窒化膜中の窒素プロファイルを実現しSiC酸窒化膜界面の欠陥準位低減を目指す。