| 研究課題/領域番号 |
24K07577
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分21050:電気電子材料工学関連
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| 研究機関 | 佐賀大学 |
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研究代表者 |
大石 敏之 佐賀大学, 理工学部, 教授 (40393491)
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| 研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2027-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2026年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2025年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2024年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | トラップ評価 / 回路モデル / 窒化ガリウム / 2端子対回路評価 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
GaNトランジスタとそれを用いる回路とを結びつけ、迅速に回路に最適なGaNトランジスタを作製できる基本的な技術を確立する。このために本研究ではGaNトランジスタと回路の研究を統一的に行えるように、2端子対回路を用いてトラップの物理を明らかにすることで、物理に基づいた回路モデルを確立する。
本研究では精度の高いモデルを確立するため、回路動作と同じ大信号で、トラップの物理的挙動を解明し、回路モデルを提案する。このために、これまでの研究実績を活用し、大信号2端子対回路特性の体系的な評価、デバイスシミュレーションを活用したトラップの物理的挙動、物理に基づく大信号回路モデルを学術的に研究する
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