| 研究課題/領域番号 |
24K07580
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分21050:電気電子材料工学関連
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| 研究機関 | 東京理科大学 |
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研究代表者 |
遠藤 聡 東京理科大学, 先進工学部電子システム工学科, 客員教授 (60417110)
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| 研究分担者 |
藤代 博記 東京理科大学, 先進工学部電子システム工学科, 教授 (60339132)
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| 研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2027-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2026年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2025年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2024年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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| キーワード | InAsSb / 量子井戸構造 / 量子ドット / 分子線エピタキシー法 / シミュレーション |
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| 研究開始時の研究の概要 |
引張歪みInAsSbは電子の有効質量が最軽量、バンドギャップが最小となる可能性がある。このようなInAsSb量子ナノ構造として、変調ドープ量子井戸、多重量子井戸、量子ドットを分子線エピタキシー法により作製し、その物性を評価する。合わせて、シミュレーションを用いた物性予測による構造設計を行う。構造設計と実験は相互にフィードバックをかけて行い結晶の高特性化を目指す。
量子井戸構造は高電子移動度トランジスタのチャネルに相当し、多重量子井戸構造は遠赤外発光ダイオード(Light Emitting Diode, LED)、量子ドット構造は中赤外LEDの高輝度化を目指している。
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