| 研究課題/領域番号 |
24K07582
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分21050:電気電子材料工学関連
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| 研究機関 | 大阪工業大学 |
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研究代表者 |
廣芝 伸哉 大阪工業大学, 工学部, 准教授 (40635190)
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| 研究分担者 |
小池 一歩 大阪工業大学, 工学部, 教授 (40351457)
小島 広孝 舞鶴工業高等専門学校, その他部局等, 准教授 (70713634)
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| 研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2027-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2026年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2025年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2024年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
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| キーワード | 強誘電薄膜 / 有機デバイス / FET |
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| 研究開始時の研究の概要 |
本研究では、チエノチオフェン系有機半導体としてDNTT，C8-BTBT，C10-DNTTの３種類について作製条件の探索、最適化を行う。Hf0.5Zr0.5O2上および比較としてSiO2上での薄膜形成過程を明らかにする。また、絶縁上での薄膜形成プロセスにMDシミュレーションを適応し、実験結果の比較により物理パラメータを決定する。
これらの知見を適応し再現性良くFeFETデバイス作製し、分子配向・結晶性と移動度、On-Off比などのデバイス特性、強誘電性とメモリ特性を比較する。このように系統的なデバイス評価を行い、今後のメモリデバイスとしての応用可能性を探る
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