半導体デバイス特性向上のためのゲルマニウムおよび有機金属の酸化反応の解明

• 研究課題/領域番号: 24K07586
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
• 研究機関: 東北大学
• 研究代表者: 遠藤 和彦 東北大学, 流体科学研究所, 教授 (60392594)
• 研究分担者: 徳増 崇 東北大学, 流体科学研究所, 教授 (10312662)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円); 2026年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円); 2025年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円); 2024年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
• キーワード: 半導体 / 絶縁膜 / 酸化

研究開始時の研究の概要

近年の半導体デバイスには、多数の半導体酸化物や金属酸化物が活用されており、酸化物の特性がデバイス性能の優劣を左右しているとともに、信頼性に関する諸問題を抱えている。これらの酸化物は、半導体や金属の酸化反応により形成されるため、普遍的な反応機構としての酸化反応の解明は学術的に重要であるとともに、酸化物の材料特性や界面特性を向上させるためには、そのメカニズム解明は重要な技術課題である。本研究では、半導体ゲルマニウムをモチーフに、酸化物形成の素過程を物理実験的に可視化するとともに、実験事実に基づいた計算機実験による予測と可視化を進める。