Si基板上へのInSb系超高速・超低消費電力デバイスの作製と評価

• 研究課題/領域番号: 24K07589
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
• 研究機関: 富山大学
• 研究代表者: 森 雅之 富山大学, 学術研究部工学系, 教授 (90303213)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2026年度: 520千円 (直接経費: 400千円、間接経費: 120千円); 2025年度: 520千円 (直接経費: 400千円、間接経費: 120千円); 2024年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
• キーワード: InSb / GaSb / MOSFET / 表面再構成制御成長法

研究開始時の研究の概要

本研究の目的は、Si基板上へ直接成長したInSb系薄膜を用いた超高速・超低消費電力CMOSFETの実現である。このため、半導体表面に特殊な表面再構成構造を形成することにより、成長薄膜の面内回転を誘起して格子不整合を大幅に緩和するヘテロエピタキシャル成長法である。これにより可能となったInSb系極薄チャネル（≦10nm）のSi上への疑似格子整合成長が本提案の最も重要な基盤となる。すでに実証してきたAl2O3/InSb/Si QW-MOSFETの高性能化を検討するとともに、正孔移動度が高いGaSb系材料の特性を生かしたpMOSFETの実現により、Si基板上InSb系CMOSの実現を目指す。