| 研究課題/領域番号 |
24K07591
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 審査区分 |
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
|
|---|
| 研究機関 | 名古屋大学 |
|---|
研究代表者 |
鄭 恵貞 名古屋大学, 工学研究科, 助教 (10898399)
|
|---|
| 研究分担者 |
田中 敦之 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 特任准教授 (30774286)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2027-03-31
|
| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2026年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2025年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2024年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
|
|---|
| キーワード | GaN / Microwave annealing |
|---|
| 研究開始時の研究の概要 |
本研究は、窒化ガリウム（GaN）の加熱方法に関する革新的なアプローチを提案している。従来の方法では、主に熱伝導による加熱が行われてきたがこの研究ではGaNの極性を利用した直接加熱法としてマイクロ波加熱を導入する。一般的なマイクロ波加熱は、電場と磁場がランダムに作用するマルチモードが用いられているが、GaNのような極性がある材料を効率的に加熱するためには、極性に適したマイクロ波の当て方を採用する必要がある。本研究では、炉内に定在させた電場や磁場のみを作用させる技術を開発し、GaNの結晶方位とマイクロ波の電場/磁場ベクトルとの関係が加熱効果に与える影響を明らかにすることを目指している。
|
