| 研究課題/領域番号 |
24K07598
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
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| 研究機関 | 関西学院大学 |
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研究代表者 |
葛原 正明 関西学院大学, 工学部, 研究員 (20377469)
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| 研究分担者 |
ASUBAR JOEL 福井大学, 学術研究院工学系部門, 准教授 (10574220)
分島 彰男 熊本大学, 半導体・デジタル研究教育機構, 教授 (80588575)
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| 研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2027-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2026年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2025年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2024年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
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| キーワード | GaN / HEMT / 二次元電子ガス / ドレイン電流密度 / モンテカルロシミュレーション |
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| 研究開始時の研究の概要 |
GaN-HEMTにおいて、AlGaN障壁層の高Al組成化により大電流動作が期待されるが、従来報告例を見る限りドレイン電流密度は予想ほど増加していない。本研究ではその根本原因と対策について検討する。二次元電子ガス（2DEG）密度が増加したとき、①LOフォノン散乱の2DEG密度依存性と、②ソース領域電子密度の欠乏効果（source starvation）がHEMT特性に与える影響についてモンテカルロ法を用いて理論的に解析する。また、高Al組成AlGaN障壁層をもつGaN-HEMTに高濃度n-GaN層からなるソースアクセス領域を選択的に導入し、上記に構築した物理モデルの有効性を検証する。
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