多結晶シリコン基板を用いたⅢ族窒化物半導体面状発光デバイスの開発に関する研究

• 研究課題/領域番号: 24K07603
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
• 研究機関: 秋田大学
• 研究代表者: 佐藤 祐一 秋田大学, 理工学研究科, 准教授 (70215862)
• 研究分担者: 齋藤 嘉一 秋田大学, 理工学研究科, 教授 (10302259)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円); 2026年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円); 2025年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円); 2024年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
• キーワード: 半導体

研究開始時の研究の概要

Ⅲ族窒化物半導体は高効率の光電変換特性を有するため、それを用いた高性能LEDが開発され広く利用されている。通常、これらはサイズが限定されるサファイアなどの単結晶基板上への単結晶形成により得られるが、導光板を用いるなどの疑似的な面状のデバイスは存在するものの、基本的には点状のデバイスに限られている。申請者らは鋳造法での作製による安価かつ基板面積に制限がほぼ無い多結晶Si基板を用いたGaN系ナノ柱状結晶群から成るLEDの形成に成功しており、ここでは多結晶Si基板上に形成されたGaN系結晶による、安価で高性能な新奇面状発光デバイスの開発を目的とした研究を実施する。