研究課題/領域番号 |
24K07616
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
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研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
研究代表者 |
松丸 大樹 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 計量標準総合センター, 研究員 (30849146)
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研究分担者 |
丸山 道隆 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 計量標準総合センター, 研究グループ長 (30415947)
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研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2027-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2026年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2025年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2024年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
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キーワード | ジョセフソン効果 / 電圧標準 / 磁気シールド / 極低温 / 強磁場 |
研究開始時の研究の概要 |
本研究の目的は、極低温・強磁場という極限環境下において超高精度な量子基準電圧源を実現する技術の開発である。極低温環境で多く活用される超伝導素子は、極低温に加え強磁場を用いることでより広範な実験が可能になるが、磁束の侵入が許されない性質との両立が大きな課題であった。本研究では、強磁場と隣接した環境下においても超伝導素子を用いた超高精度な基準電圧源・精密電圧計測を可能にするため、超伝導体/強磁性体を用いたハイブリット磁気シールド構造を提案し、これら課題の解決及び精密電気計測に関する新しい技術分野の確立を目指す。
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