研究課題
基盤研究(C)
水素インフラ用の金属材料の水素脆化機構は未解明であり,水素エネルギーの普及において喫緊の課題となっている。本研究では,水素脆化メカニズムの起因は水素誘起原子空孔の形成であることを提唱する。本研究の目的は,格子欠陥の高感度・直接プローブである陽電子消滅法の高度化によって水素脆化支配欠陥を検出することである。水素環境かつ延伸状態でのその場陽電子消滅法を開発し,水素脆化支配欠陥と思われる空孔-水素複合体の存在を立証する。新規測定法の開発で欠陥の形成からボイドの発達までの水素脆化機構を解明する。