研究課題
基盤研究(C)
放射線・高温下といった過酷な環境下における高効率・長寿命な太陽エネルギー変換材料の開発が求められている。炭化ホウ素はp型半導体であり、放射線耐性・耐熱性に優れ、組成によってバンドギャップが変化し、従来半導体に比べてキャリアの寿命が極めて長い。一方、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)は、ドーピングによりn型半導体となり、化学結合状態によってバンドギャップが変化する。本研究では、炭化ホウ素の半導体としての機能を最大限に発現させるための知見を得るとともに、炭化ホウ素およびDLCを用いた新規pn接合太陽電池を開発する。
