研究課題
基盤研究(C)
本研究では層状ペロブスカイト化合物に対して骨格構造を維持したまま酸化物イオンを脱挿入するトポタクティック反応を用い、酸素空孔の規則配列に起因した金属‐酸素八面体の回転を誘起する。八面体の回転に起因した誘電特性の評価および詳細な結晶構造解析を行うことで、物性の発現機構を明らかにする。トポタクティック反応を用いた局所構造の制御を実現し、エレクトロニクス分野における新たな材料設計指針を確立する。