研究課題
基盤研究(C)
高周波対応材料として、シリコン(Si) やガラスなどの表面へ乾式めっき法を用いて金属シード層を形成し、その上に回路を形成する方法が一般的であるが、この方法は基板と金属めっき層の密着性や均一性、表面制御かつコストなどの課題がある。従って、 Si、ガラスの表面をエッチングレスの湿式めっき法で直接めっきする方法が注目されている。本研究は、Si 表面でのシランカップリング剤の吸着挙動、分子配向性が、金属めっきの密着強度や、耐久性に及ぼす影響、および金属めっき層の界面形成メカニズムを明らかにすることによって、Si、ガラス基板に直接パターンめっきを創成する新規的なエレクトロニクス実装技術を開発する。
