フラッシュランプアニールによる非晶質シリコン膜の爆発的結晶化の変調機構解明

• 研究課題/領域番号: 24K08096
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分26050:材料加工および組織制御関連
• 研究機関: 北陸先端科学技術大学院大学
• 研究代表者: 大平 圭介 北陸先端科学技術大学院大学, 先端科学技術研究科, 教授 (40396510)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円); 2026年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円); 2025年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円); 2024年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
• キーワード: フラッシュランプアニール / 爆発的結晶化 / シリコン

研究開始時の研究の概要

非晶質シリコン(a-Si)薄膜の横方向爆発的結晶化における、下地基板の凹凸およびa-Si膜へのドーピングの影響を解明する。以下の三点について明らかにする。
(1) 基板表面のモフォロジーと結晶化機構の関係解明
(2) PおよびBドーピングの結晶化機構への影響の解明
(3) 基板凹凸およびドーピングが多結晶Si膜の電気特性に与える影響の解明