研究課題/領域番号 |
24K08097
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分26050:材料加工および組織制御関連
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研究機関 | 静岡大学 |
研究代表者 |
須田 聖一 静岡大学, 工学部, 教授 (50226578)
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研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2028-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2027年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2026年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2025年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2024年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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キーワード | 化学機械研磨 / ファインバブル / 電荷移動反応 / 電気二重層 / 水酸化物イオン |
研究開始時の研究の概要 |
ハードディスク用ガラス基板,高解像度用レンズ,さらにLEDの基材となるサファイア基板,パワー半導体用SiCやGa2O3などを欠陥なしに速やかに加工する「超精密加工研磨技術」の高度化は,次世代デバイスの基盤技術として革新的な進展が強く求められている。この進展のためには,研磨時の化学反応すなわち「化学研磨」が重要である。本研究ではファインバブルを化学研磨に活用することを検討する。この実現によって,スクラッチの生成の懸念が払拭できるだけでなく,研磨後の洗浄が不要となる。また,研磨対象材としてこれまでコロイダルシリカを用いてきた多くの半導体材料や難加工材料へ展開することが期待できる。
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