次世代パワー半導体実装用インバー合金メタライズ膜の高効率化学析出反応の解明

• 研究課題/領域番号: 24K08121
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分26050:材料加工および組織制御関連
• 研究機関: 地方独立行政法人京都市産業技術研究所
• 研究代表者: 山本 貴代 地方独立行政法人京都市産業技術研究所, 京都市産業技術研究所, 主席研究員 (60745206)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2026年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円); 2025年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円); 2024年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
• キーワード: インバー合金 / 無電解めっき / 高効率析出 / 熱膨張制御 / Fe-Ni

研究開始時の研究の概要

本研究では、半導体デバイス実装の要素技術に適した“無電解めっき法”を用いた、“熱膨張制御可能”な低熱膨張性Fe-Ni合金（インバーFe-Ni合金）のメタライズ薄膜生成技術を確立し、次世代パワー半導体の高温信頼性の向上を目指す。
具体的な取組課題は、無電解Fe-Ni合金めっき液の溶液化学、無電解析出反応の電気化学、および形成された合金薄膜の機械的・熱的挙動の金属学の解明による、低熱膨張Fe-Ni合金メタライズプロセスに内在する科学の解明、および産業利用可能な内部歪が低く、熱の寸法安定性が高い無電解インバー合金めっき膜を高析出速度で作成可能で、めっき液の経時安定性が高いプロセスの構築である。