| 研究課題/領域番号 |
24K08146
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分27010:移動現象および単位操作関連
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| 研究機関 | 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構 |
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研究代表者 |
田中 伸幸 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構, 大洗研究所 高温ガス炉研究開発センター, 研究職 (10391294)
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| 研究分担者 |
澤田 真一 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所 先端機能材料研究部, 上席研究員 (70414571)
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| 研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2027-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2026年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2025年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2024年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| キーワード | 水素製造法ISプロセス / カチオン交換膜 / イオン飛跡グラフト法 / ヨウ化水素濃縮 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
熱化学水素製造法ISプロセスでは、ヨウ化水素（HI）溶液中のHIを濃縮するためにカチオン交換膜（CEM）を用いた電解電気透析が行われる。CEMの性能には高いプロトン伝導と選択性が要求されるだけでなく、高い耐久性を併せ持つ必要がある。本研究では、イオン飛跡グラフト法CEMに対して、架橋構造を導入し、イオン交換基を有するグラフト鎖の連結性を高め、耐久性を向上することを目的とする。架橋構造は、イオンチャネルの膨潤を抑制し、効率的にH+輸送でき、HI濃縮性能向上に寄与することを利用して、HI濃縮性能と耐久性を両立したCEM製膜の達成を目指す。
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